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偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用

发布时间:2019-07-21 12:03
【摘要】:薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
[Abstract]:The quantum efficiency (QE) of thin film solar cells under different bias voltage will show very different results. The analysis of bias quantum efficiency in different wavelength ranges can be used to study the impurity compensation in the window layer of thin film solar cells, the height of the main junction barrier, the height of the back barrier, etc., and the important parameters such as the width of the depletion region and the length of minority carrier diffusion can also be obtained. Through experimental measurement and theoretical analysis, the relationship between depletion region width (W) and minority carrier diffusion length (Ln) and bias quantum efficiency of thin film solar cells is given. A new method for fitting depletion region width (W) and minority carrier diffusion length (Ln) is proposed, and the application of bias quantum efficiency test in characteristic analysis of thin film solar cells is discussed.
【作者单位】: 华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室;上海太阳能电池研究与发展中心;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
【基金】:中国科学院知识创新工程重要方向项目(KGCX2-YW--8) 上海市2012年度“科技创新行动计划”节能减排领域项目(12dz1201000)~~
【分类号】:TM914.42

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本文编号:2517166

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