一款无片外电容LDO的设计和研究

发布时间：2019-09-26 04:58

【摘要】：随着电子产品逐渐向便携式以及多功能的方向发展,低压差线性稳压器由于其尺寸小、噪声低、电路结构简单以及成本低等优点,则在电源管理芯片中占有重要地位。而SoC技术和IP复用对于芯片集成度的要求相对来说较高,所以如何能够去掉LDO中片外大电容来提高芯片集成度也受到了很多的关注和研究。因此无片外电容LDO的研究是极具现实意义的。本文旨在研发一款负载变化范围较宽并具有较好的负载瞬态响应特性的无片外电容LDO。其输入电压范围为3~5V,输出电流范围0~100mA,输出电压为2.8V,本文讨论和分析了无片外电容LDO稳定性和瞬态响应问题,介绍了目前无片外电容LDO的稳定性设计技术和瞬态响应改善技术。在此基础上,提出了本设计优化方案,主要是采用嵌套式米勒补偿进行稳定性设计,通过添加摆率增强电路来优化瞬态响应。基于CSMC 0.5μm N阱工艺,完成了电路设计与仿真。最后得到的仿真结果为:最小压降VDROP小于200mV;静态电流IQ大约为60μA;线性调整率LR约为0.073%;负载调整率LDR约为0.03%;负载电流发生变化时过冲电压不超过150mV。
【学位授予单位】：华中科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TM44

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本文编号：2541830