浮地型忆阻器混沌电路的分析与实现

发布时间：2019-12-01 23:25

【摘要】：利用磁通控制的分段线性浮地型忆阻器,设计了一个新型四阶忆阻器混沌电路。分析系统的基本动力学行为,如平衡点稳定性,李雅普诺夫指数和分岔图。数值仿真结果表明电路可产生一类特殊的混沌吸引子,且随系统参数的改变可产生丰富复杂的混沌行为。为验证电路的混沌行为,采用基本电路元件设计了一个浮地型忆阻器模拟等效电路,并对所提忆阻器混沌电路进行了实验验证,结果与理论分析基本吻合。
【图文】：

2124仪器仪表学报第35卷性动力学行为，最后设计实现该混沌系统的硬件电路，进行相应的实验验证。2电路设计利用磁通控制的浮地型忆阻器设计的一种新型忆阻器混沌电路如图1所示，该电路的设计是采用一个非线性忆阻元件替换经典蔡氏振荡器中的ＲC非线性滤波部分中的线性电阻Ｒ，，同时去掉蔡氏振荡电路中的非线性蔡氏二极管得到的，与以往电路不同的是在此电路中忆阻器的两个端口都没有接地，是一个浮地型忆阻器，同时忆阻器既充当耦合电阻又作为一个非线性元件。在此采用的忆阻器模型是磁通控制的PWL模型，其电荷q与磁通鐖之间的关系可以表示为［13］:q(鐖)=b鐖+12(a－b)(|鐖+1|－|鐖－1|)(1)图1浮地型忆阻器混沌电路Fig．1Afloatingmemristorbasedchaoticcircuit相应忆阻器的忆导W(鐖)可表示为:W(鐖)=dq(鐖)d鐖=a，|鐖|＜1b，|鐖|＞{1(2)因此忆阻器两端的电压和流过忆阻器的电流之间的关系满足:i=W(鐖)v(3)运用基尔霍夫定律分析图1的电路，可以得到如下方程组:

本文编号：2568549