基于安全物联网技术的晶硅电池品质管控系统
【学位单位】:东南大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TM914.41;TP391.44;TN918.4
【部分图文】:
带电子;由电子或空穴;在于杂质能级上的电子。能电池,可有效利用于光生伏打效应的电子主要为价带电子电子得到光子的能量后跃迁到导带的过程中光的吸收。以 PN 结的光生伏打效应机制为基础,使光能转化为电能。光导体内原子,产生一对电子与空穴,称为载流子。如图 1-1产生了电子空穴对,首先依据浓度高低分别开始扩散移动。空间电荷区的载流子受到 N 区指向 P 区形成的内建电场的穴向 P 区漂移,最后在 N 区累积了过剩的电子,在 P 区累PN 结的附近形成了与势垒方向相反的光生电场。光生电场作外,另外还导致了 P 区携带正电荷,N 区携带负电荷。在 P 成了电势差,通过印刷烧结金属电极就可以输出电荷,这便
图 1-2 晶硅太阳能电池制造流程切割,材料准备:晶硅电池有单晶与多晶材料。其中工业化的单晶硅材料,一般采用直形成,在硅料中加入籽晶后加热生长,最后形成圆柱状的硅锭,经过割后成厚度在 160~200um 的硅片,目前主流硅片为 M2 型,边长 156元素调节电阻率至 0.5~2.5Ω.cm,属于 P 型硅片。目前中小企业主要片厚度进行来料分选控制。割损伤层:使用纱线切割成硅片的过程中,硅片表面会产生大量的瑕疵,导致了变化较差,不够平整;另外这些表面的缺陷会形成漏电通道,积聚重制造过程中提高碎片率。因此工业化电池制造时通常采用碱或酸进行蚀的厚度约 10um,从而将损伤层去除。使用精密电子天平秤可以对失进行测量,利用以下公式,可以计算出总的刻蚀深度:
图 3-2 常见传感器靠现有技术,大部分传感器能够实现表 3-1 传感器采集对象派生物理量长度、厚度、应变、振动、旋转角、偏转角、角速度、振动、流量、转速、角振动振动、冲击、质角振动、扭矩、转动重量、应力、力周期、记数、统计热容量、气体速度、光通量与密度、光谱
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