线性慢关断发射系统关键技术研究
【学位单位】:吉林大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TM46
【部分图文】:
图 3.4 发射桥路仿真电路模型Q5BUZ344Q6BUZ344Q7BUZ344Q8BUZ344R70.3ΩR80.3ΩL3400μHL4400μHV70V 15V10ms 40msV80V 15V10ms 40msV90V 15V10ms 40msV100V 15V10ms 40msXSC2ABExt Trig++__+_XCP31 mV/mAL91μHR50.001ΩL10μHR90.001ΩL111μHR100.001ΩL121μHR130.001ΩL131μHR140.001ΩL141μHR150.001ΩC3120pFC4120pFC7120pFR1650ΩV160V 5V9.5ms 20m
图 3.10 添加阻尼吸收电路后输出电流波形路设计电路的设计要求,从电气角度分析,发射系统设计分电逆变电路两部分。弱电控制电路本身含有控制信息真,IGBT 强电逆变电路由于其较大的发射功率,极。因此,为了实现强弱电路的控制同时保证二者不互设计隔离驱动电路。件存在相应的门极损耗参数,为了使 IGBT 驱动电路的驱动能力应高于 IGBT 元件的门极损耗参数。门极耗功率 Pg、门极电流最大值 Igmax和门极电流平均值如式(3.6)、(3.7)和(3.8)所示。g gP fQ V
见表 3.3 中。表 3.3 IXDD408 与 A4504 关键参数对比称 IXDD408 A4504 KA最大值 2.0W 100mW 2最大值 8A 16mA 延时 20ns 0.3μs 0压范围 -5V~25V 0V~5V 0V对现有隔离驱动芯片进行对比,A4504 光耦器件比较适合小功,KA962 芯片输出功率最高可达 2.5W,驱动输出电流最大可电压范围和关断延时都不及 IXDD408,IXDD408 无论是输入都能够满足要求。其关断延时短,且能够实现 IGBT 软关断,此,最终选择 IXDD408 驱动芯片作为驱动电路搭建的核心部出电压波形如图 3.11 所示。
【参考文献】
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本文编号:2845798
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