nc-Si/c-Si异质结太阳电池优化设计分析

发布时间：2020-12-12 21:05

　　分析影响p+（nc-Si）/i（a-Si）/n（c-Si）异质结太阳电池性能的主要因素,获得纳米硅薄膜杂质浓度、本征层厚度以及背场对电池性能的影响规律。结果表明,当纳米硅薄膜中掺杂浓度增大时,该层大部分区域电场强度变大,短路电流和开路电压增大,有利于提高电池转换效率。优化的掺杂浓度应大于1×1018cm-3。当i层厚度大于30 nm时,电池转换效率η和电池填充因子FF急剧下降,优化的最佳厚度为10 nm。研究加入非晶硅背场提高电池效率的新途径,当引入厚10 nm的a-Si∶H（n+）背面场后,电池转换效率由21.677%提高到24.163%。 

【文章来源】：太阳能学报. 2014年09期 北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引言
1 器件结构和原理分析
    1.1 器件结构
    1.2 AMPS原理分析
        1.2.1 薄膜硅态密度分布
        1.2.2 Poisson方程和连续性方程
2 结果分析与讨论
    2.1 纳米硅薄膜杂质浓度选择
    2.2 本征层厚度的影响
    2.3 背场对电池性能的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析[J]. 林鸿生,马雷.  固体电子学研究与进展. 2003(04)
[2]纳米硅（nc-Si:H）晶体硅（c-Si）异质结太阳电池的数值模拟分析[J]. 胡志华,廖显伯,曾湘波,徐艳月,张世斌,刁宏伟,孔光临.  物理学报. 2003(01)
[3]纳米硅薄膜研究的最新进展[J]. 彭英才,何宇亮.  稀有金属. 1999(01)



本文编号：2913274