低压大电流系统的研究与设计
发布时间:2020-12-15 02:00
随着我国电力事业的飞速发展,电力能源早己成为国民生活中最重要的能源之一,在形形色色的电气装置和电子设备中,大电流设备被广泛应用。“大电流”的概念并不是一个绝对值,在不同的应用领域,其外延和内涵不尽相同。在交通领域,除了电动汽车的电机驱动外,传统汽车的起动系统中其核心部件也是低压大电流系统,其直流电压通常由蓄电池提供,电压一般为12~48V的低电压,电流在几百安至几千安,本文所研究的低压大电流系统即属于此范畴。本文所述的低压大电流系统,对某重型机车24V、11KW串励直流起动机的控制器进行设计,从功率器件并联应用角度出发,对原控制器进行改进,能够达到对电机起动时的电枢电流有效控制的目标。本文首先对主电路拓扑、功率半导体器件选型等问题进行了讨论,选定了基于14只功率MOSFET并联的半桥电路作为主拓扑。对多只MOSFET并联均流问题、MOSFET的栅极保护、过电压保护、过电流保护等问题进行了充分调研和讨论。然后在Altium Designer软件中设计控制器的硬件电路原理图和PCB电路板,设计了基于LM25101驱动芯片的驱动电路。控制部分选用了 32位ARM核的控制芯片STM32F103...
【文章来源】:杭州电子科技大学浙江省
【文章页数】:73 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
功率MosFET结
?杭州电子科技大学硕士学位论文???MOSFET按导电沟道可分为P沟道和N沟道,在功率MOSFET中,应用最??多的是绝缘栅N沟道增强型。图2.2?(a)是N沟道增强型MOSFET的结构图,??图2.2?(b)为功率MOSFET的电气图形符号[31]。??S
(a)测试电路?(b)开关过程波形??图2.4功率MOSFET的开关过程??功率MOSFET特殊的晶体结构会使其源-漏极之间形成一个寄生的反并联二??极管,该二极管被称为本体二极管,是功率MOSFET的一部分。该二极管与??MOSFET反并联,在一些桥式电路中能够起到续流作用,而无需外加二极管。??但该二极管的存在使得当漏-源极存在负压时是导通状态。??10??
【参考文献】:
期刊论文
[1]基于CPLD的功率MOSFET保护电路设计与实现[J]. 汶宏刚. 电子世界. 2013(24)
[2]感应加热电源中IGBT并联控制方式研究[J]. 文小青,苏玉民,禹冰,刘海燕. 电力电子技术. 2009(10)
[3]基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法[J]. 王文兵. 电力电子技术. 2009(08)
[4]功率MOSFET并联驱动特性分析[J]. 钱敏,徐鸣谦,米智楠. 半导体技术. 2007(11)
[5]一种大电流开关型锂电池充电电路的设计[J]. 吴声岗,陈智发. 电子工程师. 2007(10)
[6]低压大电流直流开关电源电磁兼容设计研究[J]. 鲁莉,邹云屏,陈伟. 通信电源技术. 2007(03)
[7]MOSFET隔离型高速驱动电路[J]. 纪圣儒,朱志明,周雪珍,王琳化. 电焊机. 2007(05)
[8]功率MOSFET驱动保护电路设计与应用[J]. 田颖,陈培红,聂圣芳,卢青春. 电力电子技术. 2005(01)
[9]分布式直流漏源过压保护电路设计[J]. 肖艳义. 电工技术. 2002(08)
[10]MOSFET栅极驱动的优化设计[J]. 杨汝,朱红萍. 电源世界. 2002(06)
硕士论文
[1]基于Z源逆变器的电动汽车电机驱动系统的传导电磁干扰研究[D]. 任亚博.兰州交通大学 2018
[2]一种应用于数字开关电源的高精度电流采样电路设计[D]. 李可.电子科技大学 2018
[3]基于STM32的无刷直流电机控制系统研究[D]. 党璇.安徽工业大学 2017
[4]MOSFET并联驱动技术的研究[D]. 席赫.吉林大学 2016
[5]基于STM32的电动车控制器的研究[D]. 张俊愿.南昌航空大学 2014
[6]直流大电流测量技术研究[D]. 张正纲.华北电力大学 2014
[7]功率MOSFET的失效分析及其驱动设计[D]. 王毅.武汉理工大学 2014
[8]基于MOSFET低电压大电流逆变器设计与应用研究[D]. 潘依波.上海交通大学 2014
[9]车用低压大电流MOSFET模块驱动与保护研究[D]. 熊英英.北京交通大学 2012
[10]基于ARM的直流电机调速系统的设计与开发[D]. 邵慧.东北大学 2011
本文编号:2917432
【文章来源】:杭州电子科技大学浙江省
【文章页数】:73 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
功率MosFET结
?杭州电子科技大学硕士学位论文???MOSFET按导电沟道可分为P沟道和N沟道,在功率MOSFET中,应用最??多的是绝缘栅N沟道增强型。图2.2?(a)是N沟道增强型MOSFET的结构图,??图2.2?(b)为功率MOSFET的电气图形符号[31]。??S
(a)测试电路?(b)开关过程波形??图2.4功率MOSFET的开关过程??功率MOSFET特殊的晶体结构会使其源-漏极之间形成一个寄生的反并联二??极管,该二极管被称为本体二极管,是功率MOSFET的一部分。该二极管与??MOSFET反并联,在一些桥式电路中能够起到续流作用,而无需外加二极管。??但该二极管的存在使得当漏-源极存在负压时是导通状态。??10??
【参考文献】:
期刊论文
[1]基于CPLD的功率MOSFET保护电路设计与实现[J]. 汶宏刚. 电子世界. 2013(24)
[2]感应加热电源中IGBT并联控制方式研究[J]. 文小青,苏玉民,禹冰,刘海燕. 电力电子技术. 2009(10)
[3]基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法[J]. 王文兵. 电力电子技术. 2009(08)
[4]功率MOSFET并联驱动特性分析[J]. 钱敏,徐鸣谦,米智楠. 半导体技术. 2007(11)
[5]一种大电流开关型锂电池充电电路的设计[J]. 吴声岗,陈智发. 电子工程师. 2007(10)
[6]低压大电流直流开关电源电磁兼容设计研究[J]. 鲁莉,邹云屏,陈伟. 通信电源技术. 2007(03)
[7]MOSFET隔离型高速驱动电路[J]. 纪圣儒,朱志明,周雪珍,王琳化. 电焊机. 2007(05)
[8]功率MOSFET驱动保护电路设计与应用[J]. 田颖,陈培红,聂圣芳,卢青春. 电力电子技术. 2005(01)
[9]分布式直流漏源过压保护电路设计[J]. 肖艳义. 电工技术. 2002(08)
[10]MOSFET栅极驱动的优化设计[J]. 杨汝,朱红萍. 电源世界. 2002(06)
硕士论文
[1]基于Z源逆变器的电动汽车电机驱动系统的传导电磁干扰研究[D]. 任亚博.兰州交通大学 2018
[2]一种应用于数字开关电源的高精度电流采样电路设计[D]. 李可.电子科技大学 2018
[3]基于STM32的无刷直流电机控制系统研究[D]. 党璇.安徽工业大学 2017
[4]MOSFET并联驱动技术的研究[D]. 席赫.吉林大学 2016
[5]基于STM32的电动车控制器的研究[D]. 张俊愿.南昌航空大学 2014
[6]直流大电流测量技术研究[D]. 张正纲.华北电力大学 2014
[7]功率MOSFET的失效分析及其驱动设计[D]. 王毅.武汉理工大学 2014
[8]基于MOSFET低电压大电流逆变器设计与应用研究[D]. 潘依波.上海交通大学 2014
[9]车用低压大电流MOSFET模块驱动与保护研究[D]. 熊英英.北京交通大学 2012
[10]基于ARM的直流电机调速系统的设计与开发[D]. 邵慧.东北大学 2011
本文编号:2917432
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianlilw/2917432.html
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