辅助配位剂对丁二酰亚胺无氰镀银层性能的影响

发布时间：2021-06-17 13:44

　　以含羧基化合物A或其铵盐B,又或焦磷酸钾作为辅助配位剂进行无氰电镀银。镀液的基础组成和工艺条件为:硝酸银5 g/L,丁二酰亚胺60 g/L,硼砂5～10 g/L,pH=9.5±0.5,温度20～30°C,磁力搅拌,时间30 min。研究了3种辅助配位剂对无氰电镀银光亮电流密度范围及银层光泽、结合力和表面形貌的影响。结果表明,采用化合物含羧基铵盐化合物B作为辅助配位剂时光亮电流密度范围为0.020～0.867 A/dm2,所得银层的光泽高达579 Gs,结合力良好,组织结构受电流密度的影响较小。 

【文章来源】：电镀与涂饰. 2020,39(21)北大核心CSCD

【文章页数】：4 页

【部分图文】：

图1 分别采用含羧基化合物A(a)及其铵盐B(b)和焦磷酸钾(c)作为辅助配位剂时赫尔槽试片的外观示意图

对从不同辅助配位剂体系镀液中电镀所得光亮镀银层进行热震试验，均无起泡或脱落，弯折后的镀银层也没有出现起皮、裂纹和剥落现象(见图2)，说明从3种辅助配位剂体系中所得镀层的结合力均良好。2.4 辅助配位剂对镀银层表面形貌的影响

从图4可知，采用化合物B作为辅助配位剂时，在不同电流密度下所得镀银层的XRD谱图中除Ag的衍射峰外，未探测到其他杂峰。随电流密度升高，各衍射峰的峰位、宽度和高度都没有明显变化，说明电流密度对镀层结构的影响不大。在电流密度0.4 A/dm2下所得镀银层的(200)晶面的峰高出现差异可能是分析过程中的噪声所致[16]。图4 采用含羧基的化合物B作为辅助配位剂时在不同电流密度下所得光亮镀银层的XRD谱图

【参考文献】：
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硕士论文
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本文编号：3235308