应用于高压GAN栅驱动负压关断的Buck-Boost的研究与设计

发布时间：2021-08-31 12:51

　　由于氮化镓（Gallium nitride,GaN）功率器件在高开关速度和高击穿电压特性上得天独厚的优势,所以它在通信、汽车电子、雷达和无线充电应用上得到了快速的发展。然而设计师们并不只放眼于这些高端应用,他们已经开始不断地尝试在新的便携式设备的设计中采用GaN器件来实现下一代产品的优越性能。但是将传统零压关断,正压开启的功率驱动电路应用于高压GaN功率器件时,高dv/dt、di/dt造成的共模噪声串扰将极大限制GaN功率器件高压下的应用。通过使用负压关断,零压开启的驱动电路来驱动耗尽型GaN功率器件可以提高驱动电路的共模噪声抗扰能力。为了使高压GaN驱动电路单电源供电,需要在驱动电路中设计一个负压产生电路为高压GaN栅驱动负压关断提供负压电源。在该研究背景下,设计一个应用在高压GaN栅驱动中的负压电源具有重要的研究意义。本文介绍了两种可以应用于高压GaN栅驱动负压关断的负压电源产生方式,分别为负压电荷泵（Charge Pump）和升降压（Buck-Boost）电路。通过分析两种负压电源工作原理,比较两种负压电源在高压GaN栅驱动应用场景下的优略,本文选择了效率更高,输出电压连续可调,... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：71 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

氮化镓（GaN）技术和碳化硅（SiC）技术在不同电压下的应用范围

dv/dt对关断GaN器件的影响

Buck-Boost负压变换器电压模时钟控制波形

【参考文献】：
硕士论文
[1]一款应用于SOC中的Buck型DC-DC的设计[D]. 付军辉.西安电子科技大学 2009
[2]负电压电荷泵电源的设计[D]. 姜明方.北京交通大学 2008



本文编号：3374929