基于Pt/TiO 2-x /TiO 2 /TiO 2+x /Pt双扩展忆阻器研究
发布时间：2021-09-19 14:13
本文综述了国内外忆阻器研究现状，分析了惠普忆阻器的结构、原理和主要特点。忆阻器的纳米尺度、非易失性和可堆叠性具备设计新型大规模集成电路以延续甚至突破摩尔定律的能力。忆阻器的运算多值性具有设计人工神经网络和人工智能模拟计算机体系结构潜能。本文进一步研究了我们提出的新型双扩展结构忆阻器并制成了实物样品，主要开展的研究工作有：1．给出了双扩展纳米尺度结构忆阻器（即Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt纳米结构忆阻器的新结构并成功获得一项中国发明专利授权和两项美国发明专利授权）。本论文研究在两根交叉的铂纳米线之间夹TiO2-x/TiO2/TiO2+x三层纳米二氧化钛半导体薄膜，制备成Pt/TiO2-x/TiO2/TiO2+x/Pt纳米结构，研究这种双扩展忆阻器模型、工作机理及其特性。2．根据离子漂移理论，对经典的惠普型忆阻器提出了新的建模方法，同时对比讨论了双扩展忆阻器模型特点，并且在Matlab和HSPICE等主流电路仿真软件平台下仿真实现。仿真结果表明本文忆阻器理论模型更加符合忆阻器实物测试结果。研究了基于惠普型忆阻器了读写操作的电路结构，提出一个能充分发挥忆阻器存储与运算特性的...
【文章来源】：黑龙江大学黑龙江省
【文章页数】：126 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
电荷、电流、电压、磁通量之间关系图
图 1-2 惠普实验室忆阻器实物图Fig.1-2 Figure of HP memristor尔公司的创始人之一戈登·摩尔提出著名的管数目约每隔 18 个月便会增加一倍，性定律的预言一样，微电子产业通过缩小晶性能，实现了微电子行业的突飞猛进，为。通过查阅相关文献得知特征尺寸为 0.术早已成为半导体制造行业的主流[1][2]，而 的特征尺寸已经达到 35 纳米。但是伴随子技术受极限物理尺寸的限制越来越明过缩小晶体管尺寸已经行不通了，微电子管。米电子技术中，阻变存储器（RRAM—Re
多成果的研究机构包括惠普实验室，美国加州大学与日本东可以使用 SPICE（Simulation program with intergrated circuit e，应用惠普等给出的参数指标进行仿真和模拟研究。 年惠普实验室宣布成功研制了第一个纳米级的忆阻器实物元以分为三个方面：阻器理论的研究。阻器物理制备和其交叉阵列的实现。阻器实现电子突触的研究。器理论的研究在第 2 章详细介绍。下面先介绍国际上忆阻器 年 8 月，美国加州大学的 Yu. V. Pershin、M. Di Ventra 等人提型——电子自旋阻塞模型[15][16]，其结构如图 1-3 所示。这种半导体与铁磁材料接触处出现的电子迁移受限的现象设计而成FM接触面 SC
【参考文献】：
期刊论文
[1]忆阻器交叉阵列及在图像处理中的应用[J]. 胡小方,段书凯,王丽丹,廖晓峰. 中国科学:信息科学. 2011(04)
[2]纳米材料国内外研究进展Ⅰ——纳米材料的结构、特异效应与性能[J]. 朱世东,周根树,蔡锐,韩燕,田伟. 热处理技术与装备. 2010(03)
[3]第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展[J]. 蔡坤鹏,王睿,周济. 电子元件与材料. 2010(04)
[4]纳米材料及其应用研究进展[J]. 冯异,赵军武,齐晓霞,高芬. 工具技术. 2006(10)
[5]化学沉积法制备Ni-P纳米线与纳米管有序阵列[J]. 任鑫,黄新民,张胡海. 物理化学学报. 2006(01)
[6]大规模制备Ni80Fe20纳米线阵列及其磁学特性研究[J]. 符秀丽,王懿,李培刚,陈雷明,张海英,涂清云,L.H.Li,唐为华. 物理学报. 2005(04)
[7]金属纳米微粒的尺寸效应[J]. 齐卫宏,汪明朴,徐根应. 材料导报. 2003(10)
[8]TiO2薄膜的制备方法及应用[J]. 吴志猛,张伟强,董闯. 真空. 2003(02)
[9]纳米物理学的若干基本问题[J]. 邵明珠,罗诗裕. 漳州师范学院学报(自然科学版). 2002(03)
[10]Co纳米孔洞模板的制备和磁性[J]. 于冬亮,杨绍光,都有为. 物理学报. 2002(08)
硕士论文
[1]双扩展忆阻器纳米结构模型与特性研究[D]. 冯昌浩.黑龙江大学 2012
[2]面向数据库应用的忆阻器存储器技术[D]. 胡舒凯.国防科学技术大学 2011
[3]纳米结构忆阻器制造技术研究[D]. 王天琦.黑龙江大学 2010
[4]纳米晶CoNiFe软磁薄膜的电化学制备及其结构、性能的研究[D]. 王秋萍.浙江大学 2010
[5]纳米二氧化钛在环境卫生领域的应用基础研究[D]. 李协吉.四川大学 2005
本文编号：3401763
【文章来源】：黑龙江大学黑龙江省
【文章页数】：126 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
电荷、电流、电压、磁通量之间关系图
图 1-2 惠普实验室忆阻器实物图Fig.1-2 Figure of HP memristor尔公司的创始人之一戈登·摩尔提出著名的管数目约每隔 18 个月便会增加一倍，性定律的预言一样，微电子产业通过缩小晶性能，实现了微电子行业的突飞猛进，为。通过查阅相关文献得知特征尺寸为 0.术早已成为半导体制造行业的主流[1][2]，而 的特征尺寸已经达到 35 纳米。但是伴随子技术受极限物理尺寸的限制越来越明过缩小晶体管尺寸已经行不通了，微电子管。米电子技术中，阻变存储器（RRAM—Re
多成果的研究机构包括惠普实验室，美国加州大学与日本东可以使用 SPICE（Simulation program with intergrated circuit e，应用惠普等给出的参数指标进行仿真和模拟研究。 年惠普实验室宣布成功研制了第一个纳米级的忆阻器实物元以分为三个方面：阻器理论的研究。阻器物理制备和其交叉阵列的实现。阻器实现电子突触的研究。器理论的研究在第 2 章详细介绍。下面先介绍国际上忆阻器 年 8 月，美国加州大学的 Yu. V. Pershin、M. Di Ventra 等人提型——电子自旋阻塞模型[15][16]，其结构如图 1-3 所示。这种半导体与铁磁材料接触处出现的电子迁移受限的现象设计而成FM接触面 SC
【参考文献】：
期刊论文
[1]忆阻器交叉阵列及在图像处理中的应用[J]. 胡小方,段书凯,王丽丹,廖晓峰. 中国科学:信息科学. 2011(04)
[2]纳米材料国内外研究进展Ⅰ——纳米材料的结构、特异效应与性能[J]. 朱世东,周根树,蔡锐,韩燕,田伟. 热处理技术与装备. 2010(03)
[3]第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展[J]. 蔡坤鹏,王睿,周济. 电子元件与材料. 2010(04)
[4]纳米材料及其应用研究进展[J]. 冯异,赵军武,齐晓霞,高芬. 工具技术. 2006(10)
[5]化学沉积法制备Ni-P纳米线与纳米管有序阵列[J]. 任鑫,黄新民,张胡海. 物理化学学报. 2006(01)
[6]大规模制备Ni80Fe20纳米线阵列及其磁学特性研究[J]. 符秀丽,王懿,李培刚,陈雷明,张海英,涂清云,L.H.Li,唐为华. 物理学报. 2005(04)
[7]金属纳米微粒的尺寸效应[J]. 齐卫宏,汪明朴,徐根应. 材料导报. 2003(10)
[8]TiO2薄膜的制备方法及应用[J]. 吴志猛,张伟强,董闯. 真空. 2003(02)
[9]纳米物理学的若干基本问题[J]. 邵明珠,罗诗裕. 漳州师范学院学报(自然科学版). 2002(03)
[10]Co纳米孔洞模板的制备和磁性[J]. 于冬亮,杨绍光,都有为. 物理学报. 2002(08)
硕士论文
[1]双扩展忆阻器纳米结构模型与特性研究[D]. 冯昌浩.黑龙江大学 2012
[2]面向数据库应用的忆阻器存储器技术[D]. 胡舒凯.国防科学技术大学 2011
[3]纳米结构忆阻器制造技术研究[D]. 王天琦.黑龙江大学 2010
[4]纳米晶CoNiFe软磁薄膜的电化学制备及其结构、性能的研究[D]. 王秋萍.浙江大学 2010
[5]纳米二氧化钛在环境卫生领域的应用基础研究[D]. 李协吉.四川大学 2005
本文编号：3401763
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