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基于SiC器件ISOP移相全桥变换器整流振荡抑制

发布时间:2022-01-21 11:27
  目前地铁车辆的辅助供电系统采用集中式供电方式,供电网电压等级提高至1 500 V,由于目前全碳化硅(SiC)器件电压电流等级限制,所以采用输入串联输出并联(ISOP)的移相全桥(PSFB)拓扑来减小器件的电压应力,提高系统功率等级,但是SiC器件对于电路参数非常敏感,非常容易产生振荡,影响系统运行稳定性。分析了整流振荡产生的机理,对常规振荡抑制方法以及ISOP系统均压均流方法进行了阐述,并对此方法进行了仿真和实验验证,发现初级二极管箝位方法和次级RCD吸收方法都可以对整流振荡产生抑制,但是会严重影响效率。 

【文章来源】:电力电子技术. 2020,54(11)北大核心CSCD

【文章页数】:4 页

【部分图文】:

基于SiC器件ISOP移相全桥变换器整流振荡抑制


图1?PSFB直流变换器??Fig.?1?PSFB?direct?current?converter??

变换器,电压


关管的漏源极等效电容在死区时间??内发生谐振,实现4个开关的零电压开通。??图1为PSFB直流变换器拓扑。??VilK^TC'V2iK^T,??VD,?VD,,??VD3m?Lr??VDR,Z^:.VDR32S^,,??」Lr.1? ̄ ̄I?R??Cd??WlVAW??VDr??Co:??\\U〇??图1?PSFB直流变换器??Fig.?1?PSFB?direct?current?converter??将PSFB的输入端串联、输出端并联可以得到??串入并出集成化结构,具体如图2所示。串入并出??结构的优点为:①每个模块的输入电压为总输入??电压的1/2,这样可以大幅度降低开关器件的电压??应力;②低压功率器件可以应用于输入高压场合,??降低开关管的导通损耗,提高了系统整体的效率;??③在低压输出场合,ISOP结构提高了每个模块的??电压转换率,系统整体效率得到了提高。??图2?ISOP?PSFB直流变换器??Fig.?2?ISOP?PSFB?direct?current?converter??由于输入端采用串联模式,因此各电源模块??输入端电容的可靠性和安全性必须加以重视,一??般采用两个电容串联的设计方式,以防止电容失??效造成母线电压短路。为了保证系统工况下稳定??工作,需要保证输入电容均压,输出模块均流,否??则模块间会出现环流问题,增大系统损耗,甚至导??致系统无法工作。??3整流管两端电压振荡原理和抑制??3.1?整流管电压振荡??整流管的电压振荡机理可以通过PSFB的工??作状态来描述,图3为PSFB在一个开关周期内??第54卷第11期??2020年11月??电力电子技术??P

等效电路图,暂态过程,等效电路,电压


的工作波形,由于篇幅限制,直接介绍整流振荡的??产生原理。从h时刻开始,初级电流ip增长到足够??提供负载电流,整流管VDR,和VDR4关断,整流管??VDK和VD?3通过所有电流,初级电流继续增大,??寄生电容cR1和CR4开始充电,初级电流相当于分??为两部分,一部分为相应的负载供电,另一部分给??Cni和充电。??根据发生振荡时的工作模态,可以得到换流??暂态过程的等效电路,如图4所示,此阶段谐振电??感4和寄生电容G发生谐振,仏振荡,即整流管??电压振荡。??图4换流暂态过程等效电路??Fig.?4?Equivalent?circuit?for?transient?commutation?process??由于两个二极管的寄生结电容是并联关系,??所以等效电路中的G为两个二极管寄生结电容??之和,另外为折算到次级的谐振电感值。根据??等效电路,整流管寄生电容电压可用下式表示:??UCr=f/s-i/sCOS[W〇(t-t3)]=nf/b{l-COS[W0(Z-?3)]}?(?1?)??式中:<u〇=i/vz7sr。??因此,可以知道,整流管电压可谐振达到的峰??值为加^,同样的,变压器次级电压受此影响也??会发生同样的振荡,进而影响到变压器初级电压??产生振荡。??图5为变压器初级电压振荡实验波形,其中??为变压器初级电压为谐振电感前电压。??"(10?us/格)??图5实验波形??Fig.?5?Experimental?waveforms??由图5可见,整流管电压振荡对于变压器初??级电压的影响,可见,变压器工作的整个过程都有??零电压零电流开关等多种软开关形式,从而大大降??低了开关

【参考文献】:
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硕士论文
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[2]箝位电路抑制移相全桥副边电压振荡的研究[D]. 李双燕.哈尔滨工业大学 2016
[3]新型软开关弧焊逆变电源的研制[D]. 汪殿龙.沈阳工业大学 2003



本文编号:3600173

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