基于BZO衬底的高效非晶硅及非晶/微晶硅叠层太阳电池

发布时间：2022-08-11 17:46

　　通过研究氢稀释对硼掺杂的硅氧材料特性的影响,制备出具有高纵向电导率(1.1×10^-5S/cm)、低横向电导率4.2×10^-5S/cm和宽带隙（2.52 eV）的p型纳米硅氧（p-nc-SiO_x:H）材料,将其作为非晶硅电池（a-Si:H）的窗口层,使短波响应得到明显提升。但由于宽带隙p-nc-SiO_x:H层的引入,使p/i界面能带失配,恶化了电池性能。因此研究p/i界面缓冲层带隙对电池性能的影响,发现提高缓冲层带隙,使电池的内建电场得到明显提升,从而提高电池的转换效率。将获得的具有高开路电压的a-Si:H电池作为顶电池应用到非晶/微晶硅叠层电池中,得到效率达12.99%的高效非晶/微晶硅叠层太阳电池。 

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本文编号：3675107