脉冲激光沉积及硒化法制备Cu(In,Ga)Se 2 薄膜研究

发布时间：2023-05-31 19:15

　　采用脉冲激光沉积和硒化后热处理的方法在石英衬底上制备Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)薄膜,研究脉冲激光沉积(PLD)技术在制备CIGS薄膜太阳能电池材料上的应用,分析了不同预制层沉积顺序及厚度对CIGS薄膜组织结构、表面形貌、成分以及光学性能的影响。结果表明:利用PLD技术及后硒化处理工艺,制得的CIGS太阳能电池吸收层具有纯相和高结晶度等特性;CuGa/In金属预制层的叠层顺序和叠层数、硒化退火温度对薄膜的结晶质量、晶粒尺寸、成分都具有重要影响,其中叠层顺序影响最为明显;样品均表现出对可见光区具有透射率低和吸收系数高的光学特性。本研究为制备性能优良的CIGS太阳能电池吸收层,提供了一个新颖的工艺手段。

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【文章目录】：
1 实验
2 结果与讨论
    2.1 CIGS薄膜XRD分析
    2.2 CIGS薄膜Raman分析
    2.3 CIGS薄膜SEM分析
    2.4 CIGS薄膜EDS分析
    2.5 CIGS薄膜光学性质分析
3 结论



本文编号：3825850