氢氧化镍/还原氧化石墨烯复合物的超级电容性能

发布时间：2024-02-19 10:40

　　采用共沉淀法制备了氢氧化镍/还原氧化石墨烯复合材料,并以此为电极研究了其超级电容性能。实验发现,六方氢氧化镍纳米片被成功插入到还原氧化石墨烯的层间,这有效抑制了还原氧化石墨烯和氢氧化镍的团聚,提高了电极的稳定性。当氢氧化镍和还原氧化石墨烯的质量比为5.5∶1时,显示了最佳的电化学性能:在-0.1⁰.37V的电位窗口,1A/g的电流密度下,比电容高达1 036F/g;4A/g的电流密度下快速循环3 000次后,仍然保持70%的比电容。

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【部分图文】：

图３ＧＯ和ＮＧ８的ＦＴ－ＩＲ谱Ｆｉｇ３ＦＴ－ＩＲｓｐｅｃｔｒａｏｆＧＯａｎｄＮＧ８分析

２的插入。对于ＮＧ８，除了位于３４１１和１６３５ｃｍ－１处的水的吸收峰，１０００～１０５０ｃｍ－１间较弱的吸收峰对应于羧基、羰基、环氧基等基团，这说明复合材料中的ｒＧＯ只带有少量含氧官能团。在曲线（ｂ）中还发现位于５１６ｃｍ－１的羟基晶格振动吸收峰；３６４２ｃｍ－１处附近的尖锐的....

图４Ｎｉ（ＯＨ）２与Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ复合材料的ＴＧ曲线（）（）／

的分解［１７］。在３００～４５０℃为第３次失重阶段，这是由Ｎｉ（ＯＨ）２分解成为ＮｉＯ和ｒＧＯ完全氧化分解所造成的；４５０℃后，所有热重曲线都基本趋于稳定，说明Ｎｉ（ＯＨ）２与ｒＧＯ已经完全分解。根据热重曲线，可计算出Ｎｉ（ＯＨ）２与ｒＧＯ的实际质量比，将其与配方中的理论值进行对....

图６Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ复合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在不同电压扫描速率下的比电容（）／

渐变大，ＮＧ８的比电容最大。继续增加Ｎｉ（ＯＨ）２的含量，比电容开始减校而纯的Ｎｉ（ＯＨ）２的比电容甚至小于ＮＧ１０。图５（ｂ）为ＮＧ８在不同扫描速率下的循环伏安曲线，随着电压扫描速率增大，法拉第反应的速度逐渐跟不上电子迁移的速度，曲线逐渐扭曲，氧化峰与还原峰分别向两边移动，并导....

图８Ｎｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯ复合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在不同电流密度下的比电容（）／

（ＯＨ）２／ｒＧＯ复合材料及Ｎｉ（ＯＨ）２在１Ａ／ｇ电流密度下的充放电曲线，ＮＧ８在不同电流密度下的充放电曲线Ｆｉｇ７Ｇａｌｖａｎｏｓｔａｔｉｃｃｈａｒｇｅ－ｄｉｓｃｈａｒｇｅｃｕｒｖｅｓｏｆＮｉ（ＯＨ）２／ｒＧＯｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓａｎｄＮｉ（ＯＨ）２ａｔｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｄ....

本文编号：3902558