浅谈赝电容电极材料的研究进展
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【部分图文】:
图2所示%??35??2020.8?Vol.44?No.8??
材料表面及近??表面,并伴随有电荷转移时,即会发生氧化还原反应。嵌人/脱??出机制常见于非水系电解液体系,相应材料多为层状?。当离??子嵌入到活性材料的层间间隙,伴随电荷转移而没有结晶相??变,所发生的就是嵌人/脱出机制的赝电容行为。??欠甩位沉积?氧化aw反庳??入/脱出机》?....
图2??赝电容电极材料的电化学特性??在循环伏安测试中,实验进程主要由扫描速率(〃,mV/s)这??
J?L??(a)循环伏安曲线??图2??赝电容电极材料的电化学特性??在循环伏安测试中,实验进程主要由扫描速率(〃,mV/s)这??一参数控制。电流对所施加扫描速率的响应主要取决于氧化??1?mol/L的N&SCU为电解液,该材料实现高的能量密度(1.5??mWh/cm3)和功率....
图3?水热法制备多孔Mn02纳米片的SEM图??3.3四氧化三钴??
是一种理想的赝电容电极材料。大??量研究发现,结晶度、导电性以及比表面积是影响Mn02赝电??容性能的主要因素。Brousse等?探究了不同结晶度对Mn02??电化学性能的影响,结果表明晶态Mn02的比电容(250?F/g)略??高于非晶态(160?F/g),这主要是因为晶态Mn....
图4?溶剂热法制备V2〇s/rGO的形貌表征??3.5?Ti02(B)??Ti02(B)是二氧化钛的亚稳态相,也被称为单斜二氧化钛
的V205获得最大的比电??容,达到308?F/g。这主要是因为微球结构增大了?V205的比表??面积,促进了活性材料与电解液离子的有效接触。目前,对??V205赝电容电极材料的研究主要集中在与其他材料进行复??合,以克服其本身低电导率的问题。Sun等?通过溶胶-凝胶??法合成核....
本文编号:3924319
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