一个分数阶忆阻器模型及其简单串联电路的特性

发布时间：2017-07-29 11:19

  本文关键词：一个分数阶忆阻器模型及其简单串联电路的特性

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【摘要】：忆阻器是具有时间记忆特性的非线性电阻.经典HPTiO_2忆阻器模型的忆阻值为此前通过忆阻器电流的时间积分,即记忆没有损失.而最近研究证实HPTiO_2线性忆阻器掺杂层厚度不能等于零或者器件整体厚度,导致器件的记忆有损失.基于此发现,本文首先提出了一个阶数介于0与1间的分数阶HPTiO_2线性忆阻器模型,研究了当受到周期外激励时,分数阶导数的阶数对其忆阻值动态范围和输出电压动态幅值的影响规律,推导出了磁滞旁瓣面积的计算公式.结果表明,分数阶导数阶数对磁滞回线的形状及所围成区域面积有重要影响.特别地,在外激频率大于1时,分数阶忆阻器的记忆强度达到最大.然后讨论了此分数阶忆阻器与电容或电感串联组成的单口网络的伏安特性.结果表明,在周期激励驱动时,随着分数阶导数阶数的变化,此分数阶忆阻器与电容的串联电路呈现出纯电容电路与忆阻电路的转换,而它与电感的串联电路则呈现出纯电感电路与忆阻电路的转换.
【作者单位】： 南京航空航天大学机械结构力学与控制国家重点实验室;常州大学数理学院;解放军理工大学理学院;
【关键词】： 忆阻器 滞回线 记忆损失 分数阶导数
【基金】：国家自然科学基金(批准号:11372354)资助的课题~~
【分类号】：TM54
【正文快照】： 1引言忆阻器是无源二端非线性电路元件,其理论模型最早由加州大学蔡少棠教授在1971年依据电路变量关系的完备性而提出,即理论上存在体现磁通量与电量间关系的电路元件,称之为忆阻器[1],之后忆阻元件的概念又被扩展到不仅限于磁通量与电量关系的忆阻系统[2].由于没有找到对应的

【参考文献】

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10 朱兆e，

本文编号：588934