晶体硅光伏组件抗PID机理研究

发布时间：2017-08-10 23:05

  本文关键词：晶体硅光伏组件抗PID机理研究

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【摘要】：从封装材料和电池片两方面对引发晶体硅光伏组件的电位诱发衰减现象的主要因素进行研究,通过实验分析得出引起该现象的关键因素和产生机理。通过优化电池片工艺及优化封装材料两种措施来消除该因素的影响,最终通过改变封装材料和优化电池片表面钝化层的方式分别制备两类具有抗电位诱发衰减性能的晶体硅光伏组件,其在-1000 V、85℃、85%相对湿度条件下大于1000 h的测试后,两类组件功率衰减都小于3%,组件的电位诱发衰减现象得以消除,光伏组件的抗电位诱发衰减性能大幅提升。
【作者单位】： 连云港神舟新能源有限公司;上海航天汽车机电股份有限公司;
【关键词】： 晶体硅光伏组件 电位诱发衰减 机理 抗PID光伏组件
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言电位诱发衰减(PID),最早由Sunpower公司在2005年发现[1]。PID是指组件长期在高电压作用下使玻璃、封装材料之间存在漏电流,导致组件性能低于设计标准。2010年,美国国家能源部可再生能源实验室和Solon公司研究发现采用P型晶硅电池片制备的组件在负偏压下均存在PID现象[2]

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 齐济;古丽斯坦;王承遇;宁桂玲;;硅酸盐玻璃表面析碱的研究[J];玻璃与搪瓷;2006年03期

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 何宝华;杜军伟;王慧;何涛;徐传明;张忠卫;;晶体硅光伏组件抗PID机理研究[J];太阳能学报;2015年11期

2 田密;黄守亮;;氧化镁对光伏玻璃防霉性能的影响[J];玻璃;2014年01期

3 王承遇;齐济;黄明;庞世红;;浮法玻璃的风化[J];武汉理工大学学报;2009年22期

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前4条

1 王承遇,陶瑛;硅酸盐玻璃的风化[J];硅酸盐学报;2003年01期

2 陶瑛,薄学微,王继红,王承遇;热处理对P_2O_5-B_2O_3-Al_2O_3-MgO-K_2O玻璃风化的影响[J];玻璃;1999年03期

3 陶瑛,薄学微,王承遇;钡磷酸盐光学玻璃风化的研究[J];硅酸盐通报;1996年04期

4 王承遇;陶瑛;;玻璃的表面结构和性质[J];硅酸盐通报;1982年01期

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 黄浩;吴志学;;光伏组件变形对组件性能的影响研究[J];机械工程与自动化;2011年04期

2 张风;白建波;郝玉哲;张臻;姜猛;;光伏组件表面积灰对发电性能的影响[J];华东电力;2013年02期

3 李智;白恺;宗瑾;张改利;岳巍澎;李明;;光伏组件数学模型研究与分析[J];华北电力技术;2013年06期

4 冯江涛;陈心欣;冯皓;揭敢新;;光伏组件质量测试标准发展简史[J];电源技术;2013年12期

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本文编号：653076