GIS隔离开关操作产生的壳体电位升高和VFTO关系

发布时间：2017-08-13 04:41

  本文关键词：GIS隔离开关操作产生的壳体电位升高和VFTO关系

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【摘要】：气体绝缘开关设备(GIS)中的隔离开关操作,会产生特快速瞬态过电压(VFTO)和壳体电位升高(TEV)等问题。该研究旨在通过试验方法研究TEV和VFTO之间的关系,并分析TEV在GIS回路中的形成原因和传播规律。研究中,首先利用自制的TEV和VFTO测量系统,在武汉特高压交流试验基地对GIS隔离开关操作时产生的TEV和VFTO波形进行了测量。从暂态波形时间对应角度分析,所有统计的时间偏差均在[-90μs,20μs]的区间内,证明了2者在时序上的对应关系;从幅值比例关系角度,使用Spearman相关系数分析,证明了TEV波形上的脉冲电压与隔离开关断口间的击穿电压满足正比单值函数关系。通过引入比例系数,分析了试验回路上不同位置处的TEV幅值,从试验角度验证了行波传输理论对TEV成因的解释。该研究还给出了通过少量现场试验确定某一位置最大TEV的方法,估算试验回路中可能出现的TEV最大值为51.37 k V,这一估算方法能够为TEV的理论分析和仿真计算提供支持。
【作者单位】： 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室;国家电网公司;
【关键词】： 气体绝缘开关设备 壳体电位升高 特快速瞬态过电压 隔离开关 相关分析 比例系数
【基金】：国家自然科学基金(51277106) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB209405)~~
【分类号】：TM564.1
【正文快照】： Relationship Between Transient Enclosure Voltage and Very Fast Transient Overvoltage Gen-erated During Disconnector Operations in Gas Insulated SwitchgearGUAN Yonggang1,CAI Yuanji1,LIU Weidong1,CHEN Weijing2(1.State Key Laboratory of Control and Simulati

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本文编号：665471