受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

发布时间：2017-08-14 02:13

  本文关键词：受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

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【摘要】：少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段。基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律。研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域。
【作者单位】： 渤海大学新能源学院;
【关键词】： p型单晶硅 少子寿命 电子陷阱 复合中心 杂质和缺陷密度 俘获截面
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11304020) 辽宁省教育厅一般项目资助项目(L2012401)
【分类号】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： 0引言少子寿命是衡量半导体材料制备和加工过程中工艺质量的基本参数,也是半导体材料投产前必检的基本参数之一[1]。在半导体材料中,出现杂质和缺陷不可避免,而少子寿命就是半导体材料内杂质和缺陷的综合反映,所以监测工艺过程中的少子寿命值及其变化规律,可为工艺步骤优化和

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本文编号：670199