基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究

发布时间：2017-08-16 01:09

  本文关键词：基于串并联磁控忆阻器的耦合行为研究

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【摘要】：忆阻器是纳米级器件,其功耗低,集成度高,有着巨大的应用潜能.单个器件具有丰富的电学性质,其串并联电路更展现了丰富的动力学行为.然而,忆阻器在高密度集成的环境下,其耦合效应不可忽视.因此,本文首先基于磁控忆阻器推导了耦合忆阻器的数学模型.其次,在考虑不同极性连接和耦合强度的前提下,讨论两个磁控忆阻器串并联的耦合情况,进行了详细的理论分析,并通过数值仿真探索了耦合效应对忆阻系统的影响.同时,设计了基于Matlab的图形用户界面,直观地展示了不同参数下的耦合特性曲线.进一步,本文展示了有无耦合情况下,初始阻值对忆阻器正常工作范围的影响.最后,构建耦合忆阻器的Pspice仿真器,从电路的角度再次验证了忆阻器间的耦合效应.实验结果表明:同极性耦合增强了阻值的改变,相反极性的耦合减缓了阻值的改变.这些动力学特性可以很好地应用于忆阻网络中,也为全面考虑忆阻系统电路的设计提供了强大的理论基础.
【作者单位】： 西南大学电子信息工程学院;
【关键词】： 磁控忆阻器 耦合效应 图形用户界面 Pspice
【基金】：教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:教技函[2013]47号) 国家自然科学基金(批准号:61372139,61571372,60972155) 教育部“春晖计划”科研项目(批准号:z2011148) 留学人员科技活动项目(批准号:渝人社办[2012]186号) 重庆市高等学校优秀人才支持计划(批准号:渝教人[2011]65号) 重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(批准号:渝教人[2011]65号) 中央高校基本科研业务费(批准号:XDJK2014A009,XDJK2013B011)资助的课题~~
【分类号】：TM54
【正文快照】： 1引言1971年,Chua首次定义了忆阻器[1],它是继电阻、电容和电感的第四种基本的电路元件.随着纳米级器件工艺的发展,惠普实验室团队在研究二氧化硅时,意外地发现了这种材料具有特殊的电子特性,后来证明了这就是忆阻器[2],并于2008年将此研究成果发表在《自然》期刊上[3].这引起

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 ;Memristive crossbar array with applications in image processing[J];Science China(Information Sciences);2012年02期

2 董哲康;段书凯;胡小方;王丽丹;;两类纳米级非线性忆阻器模型及串并联研究[J];物理学报;2014年12期

【共引文献】

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1 李传东;田园;陈玲;葛均辉;;多种连接模型的忆阻神经网络学习[J];重庆大学学报;2014年06期

2 DUAN ShuKai;HU XiaoFang;WANG LiDan;LI ChuanDong;;Analog memristive memory with applications in audio signal processing[J];Science China(Information Sciences);2014年04期

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中国硕士学位论文全文数据库 前3条

1 丁山传;忆阻器在有源电力滤波器中的应用[D];太原科技大学;2014年

2 刘欢;基于Matlab的忆阻器图形用户界面设计[D];重庆大学;2014年

3 徐瑶;基于描述函数方法的神经群振荡分析[D];天津医科大学;2014年

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本文编号：680739