键合的双结太阳电池研究

发布时间：2017-08-18 12:27

  本文关键词：键合的双结太阳电池研究

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【摘要】：论述键合的双结GaAs/InGaAs太阳电池的研制,界面采用p~(++)GaAs/n~(++)GaAs隧穿结,开路电压大于1.15 V,效率比国际报道的同类键合两结电池提高0.3%,电池表面未做减反膜。开路电压表明两结电池可实现串联,为单片集成的高效多结电池提供新的途径,通过分析电池效率性能提出进一步提高效率的技术方案。
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
【关键词】： 键合 多结太阳电池 晶格失配 界面
【基金】：中国科学院知识创新工程重要方向项目(09JA041001)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言以III-V族化合物为代表的太阳电池备受关注,因这种化合物材料具有较高的光电转换效率、良好的晶体质量和可供调节的带隙等优点,目前是各国研制高转换空间太阳电池的首选[1]。从材料的成本看,III-V族化合物的成本比Si高,但据B.T.Debney等[2]的分析,在地面高聚光度下使用Ga

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本文编号：694564