氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响

发布时间：2017-09-02 00:39

  本文关键词：氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响

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【摘要】：主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析。结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长。随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽。在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓冲层材料,得到光电转化效率为3.12%的CZTSe薄膜太阳电池(该电池未经任何后硒化处理工艺)。
【作者单位】： 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室;
【关键词】： 化学水浴法 氨水浓度 CZTSe太阳电池
【基金】：教育部博士点基金(20120031110039)
【分类号】：O484.1;TM914.4
【正文快照】： (Received 7 June 2015,accepted 21 October 2015)1引言铜基化合物铜锌锡硒Cu2(Zn,Sn)Se4(CZTSe)由于组成元素丰富、成本低廉,而且具有与CIGS相似的晶体结构和光学性质,近两年引起了人们的关注[1,2]。CZTSe电池中,由于吸收层CZTSe带隙和晶格常数与窗口层Zn O不匹配,严重影响

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 王威;沈鸿烈;姚函妤;陈洁仪;李玉芳;;硫源种类对微波合成CZTS颗粒与薄膜性能的影响[J];南京航空航天大学学报;2015年05期

2 谢敏;庄大明;赵明;庄作隆;郭力;李博建;宋军;;预制膜成分对铜锌锡硫薄膜特性的影响[J];太阳能学报;2013年12期

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1 贺显聪;Cu_2ZnSnS_4光电薄膜的电沉积制备与物理性能研究[D];南京航空航天大学;2012年

2 江丰;Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳电池的溅射法制备和性能研究[D];南京航空航天大学;2012年

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1 方云霞;水热法制备Cu_2ZnSnS_4半导体纳米晶材料的研究[D];华南理工大学;2013年

2 张炯;Cu_2SnS_3类化合物的溶剂热法合成及其性能研究[D];电子科技大学;2013年

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1 赵红娟;范丽鑫;康艳红;;氨水吸收重金属能力的测试与评估[J];科协论坛(下半月);2012年09期

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1 刘佳明;铜冶炼厂氨站测控系统的设计与研究[D];昆明理工大学;2013年

2 曾金玉;氧化铌粉体物性控制研究[D];江西理工大学;2009年

3 晏飞来;基于玉米秸秆乙醇化的氨化预处理与酶解工艺研究[D];西南大学;2010年

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本文编号：775402