基于SiC MOSFET的高压输入LLC变换器研究

发布时间：2017-09-20 07:32

  本文关键词：基于SiC MOSFET的高压输入LLC变换器研究

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【摘要】：针对高输入电压场合,设计了基于SiC MOSFET的共初级开关管的多变压器输入串联输出并联LLC变换器。通过采用SiC器件提高了变换器开关频率,减小了DC/DC变换器体积。对电路工作原理和均流特性进行了分析,从效率和控制复杂度的角度合理选择电路参数,降低开关损耗,提高变换器效率。最后,制作了一台输入电压为800~1 000 V,输出为25 V/2 kW的样机,验证了LLC变换器设计的合理性。
【作者单位】： 北京交通大学电气工程学院;
【关键词】： 变换器 输入串联 输出并联
【分类号】：TM46;TN386
【正文快照】： 1引言 近年来,针对高压大功率电源需求越来越多,在高输入电压、大功率应用场合多使用IGBT作为开关器件,而IGBT器件受材料特性限制,开关频率低,使得电源重量和体积较大。而普通MOSFET耐压低,很难用在高压输入场合。三电平变换器开关管电压应力只有输入电压的一半,但普通三电平

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 陈志英,阮新波;零电压开关PWM复合式全桥三电平变换器[J];中国电机工程学报;2004年05期

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 金科;阮新波;杨孟雄;徐敏;;复合式燃料电池供电系统[J];电工技术学报;2008年03期

2 褚恩辉;张化光;刘秀，

本文编号：886727