衬底温度对TiOPc光敏有机场效应管的影响

发布时间：2017-10-11 17:33

  本文关键词：衬底温度对TiOPc光敏有机场效应管的影响

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【摘要】：制备了基于酞菁氧钛(TiOPc)的有机光敏场效应管,对氧化铟锡(ITO)衬底器件进行温度优化。实验结果表明,随着衬底温度(T_(sub))的增加,器件载流子迁移率(μ)、光暗电流比(P)和光响应度(R)先增加后减小,在T_(sub)=140℃时达到最大。T_(sub)=140℃的ITO衬底器件,在波长808 nm、光功率密度190 m W·cm~(-2)的近红外光照下,最大载流子迁移率达到1.35×10~(-2)cm~2·V~(-1)·s~(-1),最大光暗电流比为250,栅压为-50 V时的最大光响应度为1.51 m A/W。
【作者单位】： 中国计量学院光学与电子科技学院;兰州大学物理科学与技术学院;
【关键词】： 有机光敏场效应管 酞菁氧钛 衬底温度
【基金】：教育部博士点基金(20110211110005) 浙江省大学生科研创新团队(2015R409042)资助项目
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1引言有机场效应管(Organic field-effect transistors,OFETs)在柔性电子领域引起了众多关注,例如主动矩阵显示[1]、生物医学[2]、无线射频识别标签[3]和传感器[4]等。在各种OFETs中,光敏有机场效应管(Photoresponsive organic field-effect tran-sistors,Ph OFETs)被认为是光

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本文编号：1013853