GaN高频开关电力电子学的新进展

发布时间：2017-10-12 16:32

  本文关键词：GaN高频开关电力电子学的新进展

  更多相关文章： 电力电子学 GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT) 开关频率 高效率 高功率密度 栅极驱动电路 功率集成 热管理

【摘要】：宽禁带半导体的发展给电力电子领域带来新一代功率开关器件,随着Si C功率器件的发展,Ga N功率高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波毫米波领域发展成熟的同时,又在电力电子的高频开关方面进入应用创新的发展阶段。综述了近几年Ga N功率HEMT在高频开关方面的最新进展:高频高效率开关应用;高功率密度;栅极驱动电路设计;大功率集成;热设计和可靠性研究等。重点介绍了基于Ga N功率HEMT在高频开关中应用的特点,在电路拓扑结构设计、寄生参量的抑制、栅极驱动电路设计、功率集成、散热设计与工艺和失效机理等创新。Ga N高频开关电力电子学在应用创新方面已取得重要进展。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室;
【关键词】： 电力电子学 GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT) 开关频率 高效率 高功率密度 栅极驱动电路 功率集成 热管理
【分类号】：TN386
【正文快照】： 专用集成电路重点实验室,石家庄050051)0引言自1993年第一只Ga N高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)诞生以来,Ga N HEMT器件与单片式微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)在微波领域已发展成熟,其覆盖了100 MHz~100 GHz的频

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本文编号：1019794