非配比InP材料研究进展

发布时间：2017-10-12 17:46

  本文关键词：非配比InP材料研究进展

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【摘要】：InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加。综述了与配比相关的InP材料的研究工作,着重分析了InP相图、不同配比InP材料制备、配比度的测量、与非配比相关的缺陷等方面的研究。重点探讨了非配比InP材料的制备、与配比相关缺陷的产生及缺陷对晶体质量的影响,对非配比InP的研究方向进行了分析和预测,提出了亟待研究解决的问题。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室;
【关键词】： InP 非配比 点缺陷 位错 富铟夹杂物
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51401186) 河北省自然科学基金资助项目(F2014202184) 天津市自然科学基金资助项目(15JCZDJC37800)
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言磷化铟(In P)是继硅(Si)、砷化镓(Ga As)之后最具应用前景的半导体材料之一。In P材料为直接带隙半导体材料,具有禁带宽度适中、电子迁移率高、抗辐射和热导率高等优异的物理特性。使其成为制备高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极晶体管(HBT)、红外激光器、发光二极管，

本文编号：1020086