GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

发布时间：2017-10-12 18:05

  本文关键词：GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

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【摘要】：使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。
【作者单位】： 天津工业大学;核探测与核电子学国家重点实验室;中国科学院高能物理研究所;中国科学院大学;陕西科技大学;
【关键词】： 高能电子辐照 GaN 发光二极管 光电学性能
【基金】：国家自然科学基金(No.11175198、No.11475209、No.11611130020、No.11305190、No.11204211)资助~~
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 刘超1于莉媛1王志刚2,3钱森2,3夏经铠2,3,4朱纳5高峰2,3,4安广朋2,3马毅超5党宏社5吴英蕾1杨洁11(天津工业大学天津300387)2(核探测与核电子学国家重点实验室北京100049)3(中国科学院高能物理研究所北京100049)4(中国科学院大学北京100049)5(陕西科技大学西安710021)Ga N作为

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1020153