碳化硅半导体材料研究进展及其产业发展建议

发布时间：2017-10-14 12:12

  本文关键词：碳化硅半导体材料研究进展及其产业发展建议

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【摘要】：正碳化硅特点及应用碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点,是新世纪有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。SiC晶片和外延衬底在通信、汽车、电网、航空、航天、石油开采以及国防等各个领域有着广泛的应用前景,其主要用途如表1。
【作者单位】： 厦门市科学技术信息研究院;
【关键词】： 临界击穿电场;硅半导体;半导体材料;外延衬底;石油开采;材料研究进展;禁带;专利申请;第三代;芯片制造;
【分类号】：F426.63;TN304.24
【正文快照】： 碳化硅特点及应用潜力的第三代新型半导体材料。Si C晶片和外延衬碳化硅(Si C)具有禁带宽度大、热导率高、电子底在通信、汽车、电网、航空、航天、石油开采以及国饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及防等各个领域有着广泛的应用前景,其主要用途化学稳定性好等诸多，

本文编号：1030976