应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展

发布时间：2017-10-15 15:43

  本文关键词：应用于22nm及以下节点的极紫外光刻胶研究进展

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【摘要】：极紫外光刻(EUVL)是最有希望用于22 nm及以下节点的下一代光刻技术,光刻胶的性能与工艺是其关键技术之一。EUV光刻胶应同时满足高分辨率、低线边缘粗糙度和高灵敏度的要求。回顾了应用于22 nm及以下技术节点的EUV光刻胶的发展现状和面临的挑战,介绍了EUVL对光刻胶的基本要求以及分辨率、线边缘粗糙度(LER)和灵敏度之间的平衡关系,阐述了LER的形成机理尤其是LER的降低,从产酸剂、吸收增强、分子尺寸的缩小、酸扩增、酸的各向异性扩散等材料设计方面总结了可能的光刻胶性能改进方案,探讨了EUV光刻胶未来的主要研究方向。
【作者单位】： 安庆师范学院物理与电气工程学院;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;
【关键词】： 极紫外光刻 光刻胶 平衡关系 材料设计
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 随着集成电路特征尺寸进入22 nm及以下技术节点,现有光刻技术已越来越难以满足光刻极限尺寸的生产要求。在半导体工业中,极紫外光刻(ex-treme ultraviolet lithography,EUVL)技术被国际半导体技术发展协会(ITRS)认为是最有前景的下一代光刻技术[1—3],但是,EUV光刻技术中使用

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本文编号：1037974