水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响

发布时间：2017-10-21 02:11

  本文关键词：水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响

  更多相关文章： 本征缺陷 CdS薄膜 化学水浴沉积法 电学性质 光学性质

【摘要】：采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO_4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致。
【作者单位】： 吉林化工学院材料科学与工程学院;吉林化工学院机电工程学院;吉林化工学院化学与制药工程学院;
【关键词】： 本征缺陷 CdS薄膜 化学水浴沉积法 电学性质 光学性质
【基金】：国家自然科学基金(No.21404100) 吉林市科技局基金(No.20156423)资助项目
【分类号】：TN304.25
【正文快照】： Cd S多晶薄膜是一种n型直接带隙半导体材料,属于Ⅱ-Ⅵ族化合物,禁带宽度约为2.42 e V,由于它具有合适的带隙,所以广泛应用在太阳能电池领域。Cd S薄膜与碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(Cu2(In,Ga)Se2)、铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4)等吸收层形成p-n结后,相对于其他硫化物或氧化物薄膜,其晶

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本文编号：1070671