沉积时间对磁控溅射法制备氮化硼薄膜相结构的影响

发布时间：2017-10-23 16:12

  本文关键词：沉积时间对磁控溅射法制备氮化硼薄膜相结构的影响

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【摘要】：利用射频磁控溅射方法,以六角氮化硼(h BN)为靶材,在单晶硅衬底上制备氮化硼(BN)薄膜,系统地研究了沉积时间对BN薄膜相结构的影响。红外光谱分析表明,随着沉积时间的增加,薄膜中h BN相含量减少,正交氮化硼(o BN)相含量增加。
【作者单位】： 包头师范学院;
【关键词】： 氮化硼薄膜 沉积时间 红外光谱 相转变
【基金】：包头师范学院青年科技基金项目“正交氮化硼(oBN)薄膜的制备及相转变研究”(编号:BSYKJ2014-32)成果
【分类号】：TN304.2;TB383.2
【正文快照】： 一、引言氮化硼(BN)是应用非常广泛的半导体多功能材料,具有良好的物理和化学性质,在机械、电子、半导体器件等领域有着重要的应用前景。BN的硼原子和氮原子是以sp2和sp3杂化方式相互作用,BN分子在空间不同的堆垛方式,导致形成不同的结构,例如:立方氮化硼(c BN)、六角氮化硼(h

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本文编号：1084234