基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

发布时间：2017-10-31 17:51

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【摘要】：设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG)。该AWG器件的中心波长为1 550nm,信道间隔为200GHz,采用了脊型波导结构。首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法(BPM)模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱。模拟结果显示:器件的最小信道损耗为4.64dB,串扰小于-30dB。根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52~8.1dB,串扰为17~20dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能。
【作者单位】： 河南仕佳光子科技有限公司;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
【关键词】： 阵列波导光栅 波分复用 绝缘体上硅 单片集成
【基金】：国家“863”计划项目(2013AA031402)
【分类号】：TN252
【正文快照】： 2.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083)0引言阵列波导光栅(AWG)[1]作为波分复用/解复用器件被广泛应用于波分复用(WDM)系统中。SOI材料上器件的制作由于与CMOS工艺兼容,同时近年来硅基光电子器件如激光器[2-5]、可调光衰减器[6-7]、调制器[8-9]及光

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