倒装SRAM型FPGA单粒子效应防护设计验证

发布时间：2017-11-02 19:06

  本文关键词：倒装SRAM型FPGA单粒子效应防护设计验证

  更多相关文章： 静态随机存储器型现场可编程门阵列 倒装芯片 单粒子效应 重离子 线性能量传输

【摘要】：在倒装芯片的单粒子效应防护设计验证中,重离子在到达器件敏感区前要经过几百微米的衬底材料,需要计算器件敏感区中离子的线性能量传输(LET)值。采用兰州重离子加速器加速的55 Me V/μ58Ni离子对基于倒装的Xilinx公司550万门现场可编程门阵列(FPGA)实现的典型系统的单粒子效应防护设计进行了试验验证,采用SRIM、FLUKA和GEANT等不同方法对试验中的LET值进行了分析,同时将SRIM分析的典型结果与基于磁偏转飞行时间法的试验数据进行了比较,发现与现有的重离子分析结果有一定差异。因此在防护验证中采用离子LET作为主要参数的情况下,应对重离子(尤其是高能段)的LET的计算方法进行约定,以规范试验过程,增强数据的可比性。
【作者单位】： 北京空间飞行器总体设计部;
【关键词】： 静态随机存储器型现场可编程门阵列 倒装芯片 单粒子效应 重离子 线性能量传输
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11675013)
【分类号】：TN791
【正文快照】： 现代的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)采用最先进的半导体工艺,内部资源丰富,功能复杂,可以多次编程。在具有强大功能的同时,SRAM型FPGA是可重构计算、系统芯片(System on Chip,So C)系统的硬件载体,可支持在轨修改设计错误、算法和软件的改变和更新等。Xilinx

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本文编号：1132756