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溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

发布时间:2017-11-06 20:14

  本文关键词:溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响


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【摘要】:利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm~2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。
【作者单位】: 山东大学空间科学与物理学院;
【基金】:山东大学(威海)研究生科研创新基金项目(yjs13029) 山东省科技攻关课题(2014GGX102022)
【分类号】:TN321.5
【正文快照】: 薄膜晶体管(TFT)作为显示器件的核心部件, 在液晶显示、透明显示及有源矩阵发光二极管等方面具有广阔的应用前景⑴。传统的非晶硅TFT和多晶硅TFT迁移率较低、均匀性差,已不能满足液晶显示器对大尺寸屏幕显示和高对比度画质的需求[2],新型金属氧化物TFT的电学性能优良,其迁移率

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