锑化镓基半导体激光器高效率光束整形（英文）

发布时间：2017-11-10 05:10

  本文关键词：锑化镓基半导体激光器高效率光束整形（英文）

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【摘要】：锑化镓基半导体激光器发光波长为1.8~4μm,因为具有体积小、重量轻和电流驱动等优势,应用范围很广.但是单管激光器并不能提供满足实际应用的激光功率,因此需要将已经成功应用于近红外半导体激光器的光束合成方法移植到中红外波段.在各种光束合成方法中,高效率的光束整形都是重要基础.展示了一种采用多只单管半导体器件的高效率光束整形方法,并在实验中实现了1.94μm波长1.93 W连续光功率输出,整形效率高于90%.这个光束整形方法可以用于构建更复杂的光谱或相干光束合成.
【作者单位】： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点研究室;
【基金】：Supported by National Natural Science Foundation of China(61307032) the Science Research Program of Jilin Province(20140520108JH)
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： IntroductionMid-infrared laser sources are needed in many are-as,such as industry,medical,environment,and de-fense.Ga Sb-based diode lasers can project light withwavelength of 1.8~4μm directly and become potentialcandidate which will replace solid-state

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本文编号：1165199