高质量半绝缘φ150mm 4H-SiC单晶生长研究

发布时间：2017-11-12 11:11

  本文关键词：高质量半绝缘φ150mm 4H-SiC单晶生长研究

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【摘要】：采用数值模拟研究PVT法φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 k Hz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律。在此基础上初步的进行了φ150 mm 4H-SiC单晶的生长工作,获得了无裂纹、直径完整的高质量SiC衬底材料。拉曼光谱Mapping测量显示φ150 mm SiC衬底全片无多型,均为4H-SiC晶型。X光摇摆曲线显示半宽小于30 arcsec。采用掺杂过渡金属V杂质,获得了电阻率超过5×109Ω·cm的150 mm SiC衬底。
【作者单位】： 山东大学晶体材料国家重点实验室;全球能源互联网(山东)协同创新中心;中国矿业大学;
【基金】：国家自然科学基金(61504075,61327808,11404393) 山东省自主创新及成果转化专项(2014ZZCX04215)
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： (Received 9 January 2016,accepted 11 March 2016)1引言碳化硅(4H-Si C)作为第三代半导体材料的代表,具有宽带隙,高载流子饱和迁移率、高临界击穿电场等特点,被广泛应用于抗辐射、抗干扰、高频大功率等器件的制备[1-3]。随着生长技术的发展,Si C单晶的直径从2inch扩展到150

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本文编号：1175644