DCVSL的SET特性分析

发布时间：2017-11-12 13:34

  本文关键词：DCVSL的SET特性分析

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【摘要】：利用SPICE电路模拟研究了DCVSL的SET特性。模拟了单端的SET脉冲在DCVSL中的传播特性,结果表明单端的SET脉冲经过两级DCVSL反相器后就基本被消除了。模拟了在负载和阈值电压不对称的条件下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链中的脉冲展宽效应。结果表明,在最差情况下,DCVSL中的SET脉冲展宽效应比CMOS更明显;在典型情况下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链的传播过程中并没有展宽。
【作者单位】： 电子科技大学电子科学技术研究院;
【分类号】：TN432
【正文快照】： 0 引言 随着工艺特征尺寸的不断减小,工作电压不断降低,节点电容不断减小,数字电路中的单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)效应越来越严重[1,2]。单粒子瞬态来源于中子或者高能质子对集成电路中敏感器件的轰击。半导体器件中由于重离子轰击产生的电子空穴对使得晶体管管

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本文编号：1176132