黑硅的无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究

发布时间：2017-11-13 06:16

  本文关键词：黑硅的无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究

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【摘要】：采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅。利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性。结果表明,黑硅微结构高度为2.0~3.5μm,径向尺寸90~400nm,间距200~610nm。在400~1 000nm光谱范围内黑硅吸收率为94%,是单晶硅的1.5倍;在1 200~1 700nm光谱范围吸收率为55%~60%,是B掺杂单晶硅的20倍。制备的黑硅的光学带隙为0.600 6eV,吸收光谱明显向红外方向偏移。
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言硅的禁带宽度为1.12eV,能量小于禁带宽度的光子无法将电子从价带激发到导带,导致硅基光电器件在红外波段没有响应。Mazur等利用飞秒激光与硅材料相互作用制备了黑硅[1],它对近紫外-近红外波段的光(0.25~2.5μm)吸收率高,反射率低[2-3],可应用于低成本硅基近红外光电探测

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本文编号：1179443