单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

发布时间：2017-11-14 07:17

  本文关键词：单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

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【摘要】：在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
【作者单位】： 西北核技术研究所;西安交通大学电子信息学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61231003,61201090) 高功率微波技术重点实验室基金项目(HPM1401)
【分类号】：TN31
【正文快照】： 半导体数值仿真方法可以直接深入地研究电磁脉冲(EMP)和高功率微波(HPM)对电子系统和器件的破坏机理,得出通用的规律性理论分析[1-3],因而,该方法近些年在EMP和HPM效应研究中得到了较多应用[4-7]。在半导体数值仿真研究当中,建立模型是数值仿真的基础,也是数值仿真中的难题。

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

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【共引文献】

中国期刊全文数据库 前3条

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2 李勇;贡顶;宣春;夏洪富;谢海燕;王建国;;器件效应数值模拟中漂移扩散模型的误差分析[J];强激光与粒子束;2014年06期

3 李勇;谢海燕;杨志强;宣春;夏洪富;;高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应[J];强激光与粒子束;2015年10期

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

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2 王建国,刘国治,周金山;微波孔缝线性耦合函数研究[J];强激光与粒子束;2003年11期

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

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中国硕士学位论文全文数据库 前10条

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本文编号：1184411