畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究

发布时间：2017-11-15 01:28

  本文关键词：畴腐蚀掺镁铌酸锂可调阵列光分束器的研究

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【摘要】：研究了不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角可调阵列光分束器的分数Talbot效应.对不同Talbot分数β和不同畴腐蚀深度的阵列光分束器Talbot衍射像进行了数值模拟理论研究.模拟结果表明,Talbot分数β可以改变Talbot衍射像的周期及结构分布,而畴腐蚀深度可有效调制衍射像的光强分布.在理论研究的基础上,设计并制备了具有不同畴腐蚀深度的掺镁铌酸锂二维六角阵列光分束器,对其在不同Talbot分数β条件下的分数Talbot效应进行了通光实验研究,实现了畴腐蚀阵列光分束器对近场Talbot衍射光强分布的调制,实验结果与理论研究结果一致.
【作者单位】： 北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61178052) 教育部博士点基金(批准号:20130009110008)资助的课题~~
【分类号】：TN256
【正文快照】： 相阵列光分束器的研究已取得了一定进展[19 21],1引言但是随着集成光学领域的飞速发展,研究人员已开始转向对不施加外加电场的可调阵列光分束器1836年,Talbot[1]用一束单色平面光照射到的研究[22,23].本课题组虽然对不同占空比畴腐蚀一周期性光栅上时,发现在光栅后方沿光轴方

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5 吴远大;安俊明;王s，

本文编号：1187844