n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

发布时间：2017-11-16 17:02

  本文关键词：n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

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【摘要】：采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.
【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家重点基础研究发展计划资助973项目(2012CB619200) 国家自然科学基金(61205105,61376052和61475179)~~
【分类号】：TN215
【正文快照】： PACS:01.55.+b引言1~3μm短波红外波段包含C—O、C—H、C=O、O—H和N—H等化合键的吸收峰位,在天气预报、机器视觉、环境监控、资源调查等方面有着重要的作用[1-3].In Ga As探测器因其成熟的材料生长工艺和器件制备工艺以及可室温工作的特点,在短波红外波段有着广泛的研究和应

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本文编号：1193019