石墨烯场效应晶体管的非线性模型

发布时间：2017-11-18 15:21

  本文关键词：石墨烯场效应晶体管的非线性模型

  更多相关文章： 石墨烯 场效应晶体管(FET) 非线性 模型 低频散射效应

【摘要】：包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成的二维蜂窝状晶格结构材料,厚度只有0.335 nm[1]。这种特殊的晶体结构使石墨烯具有超薄、超高电子迁移率、超高饱和漂移速度和超高热导率等特性。石墨烯中的载流子典型饱和漂移速度为5×107cm/s,载流子迁移率大于200 000 cm2/(V·s)[1],是

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