MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状

发布时间：2017-11-18 17:23

  本文关键词：MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状

  更多相关文章： 金刚石 宽禁带 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) 同质外延生长 掺杂

【摘要】：简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室;
【基金】：北京市科技计划项目(Z151100003315024)
【分类号】：TN304.055
【正文快照】： 0引言金刚石优异的物理、化学性质使其广泛应用于诸多领域。金刚石为间接带隙半导体材料,禁带宽度约为5.5 eV,热导率高达22 W/(cm·K)。室温电子和空穴迁移率高达4 500 cm2/(V·s)和3 800 cm2/(V·s)[1],远高于第三代半导体材料GaN和SiC。因此,金刚石在高温工作的大功率电力电

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本文编号：1200569