使用传输线理论的硅通孔电参数提取方法

发布时间：2017-11-19 03:04

  本文关键词：使用传输线理论的硅通孔电参数提取方法

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【摘要】：针对三维集成电路中的关键技术硅通孔的电特性,使用传输线理论提取了其单位长度RLGC参数。将硅通孔等效为传输线,利用HFSS仿真结果并结合传输线理论给出了具体的参数提取方法。计算结果表明,硅通孔单位长度RLGC参数呈现较强的频变特性,当频率从1 MHz增加到20 GHz时,单位长度的电阻和导纳分别从0.45 mΩ/μm和2.5μS/μm增加到2.5 mΩ/μm和17μS/μm,而单位长度电感和电容分别从8.7 p H/μm和8.8 f F/μm减小至7.5 p H/μm和0.2 f F/μm。与传统的阻抗矩阵和导纳矩阵提取方法相比,该方法具有结果绝对收敛和适用频率高等诸多优点,可进一步应用于三维集成电路的仿真设计。
【作者单位】： 武警工程大学电子技术系;武警工程大学信息工程系;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61402529)~~
【分类号】：TN40
【正文快照】： 1引言随着消费类电子的发展,越来越多的系统都集成有传感器、处理器、存储器、天线和各种无源器件以实现多种功能,从而要求更高的芯片集成密度。***然而,由于目前光刻工艺加工手段的局限性以及信号传输速率的提高,原有的基于二维平面的集成电路无法满足集成密度提高的需求。为

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本文编号：1202074