非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型

发布时间：2017-11-21 11:05

  本文关键词：非对称双栅结构a-Si:H薄膜晶体管沟道电势统一模型

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【摘要】：针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导了前、背栅压独立偏置条件下统一的沟道电势模型.该模型所需参数可由实验直接提取,数值拟合量少,在特定条件下可简化为对称双栅模型.在此基础上,文中利用数学变换及Lambert W函数提出了表面势与栅压隐含方程的近似求解方法.数值模拟结果显示,该方法具有良好的数值收敛特性,可直接用于器件仿真软件的初值设定,有效提升了模型自洽解的运算效率.
【作者单位】： 华南理工大学电子与信息学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274085)~~
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： 相对单栅而言,双栅结构的非晶态薄膜晶体管(TFT)由于场效应迁移率高、亚阈特性好、驱动能力强等优点而受到业界的重视,已广泛应用于大面积有源矩阵液晶面板、有源矩阵式有机发光二极管显示器(AMOLED)等领域[1-2].建立独立偏置条件下完整的沟道电势模型对研究不同沟道界面特性

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