X波段GaAs功率芯片共晶焊热应力分析

发布时间：2017-12-01 14:05

  本文关键词：X波段GaAs功率芯片共晶焊热应力分析

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【摘要】：随着电子封装集成度的不断提高,电子芯片的功率容量和发热量也越来越大,封装体内部温度分布不均以及产生的热应力影响芯片的可靠性.热沉作为电子设备主要的散热方式之一,被广泛使用.利用ANSYS有限元软件针对芯片-共晶层-热沉结构进行建模,通过有限元3D模型模拟该封装结构在热循环温度-55~125℃条件下产生的热应力情况,研究了采用不同热沉材料共晶焊的应力.结果表明,该结构封装的最大应力出现在热沉下表面的4个拐角处.钨铜为热沉结构时应力值最大,AlSi50次之,Al N最小.研究结果对X波段功率模块封装设计提供了设计依据.
【作者单位】： 南京信息工程大学电子与信息工程学院;成都亚光电子股份有限公司;
【分类号】：TN405
【正文快照】： 0序言目前微波芯片的封装趋势是小型化,重量轻,降低成本和有效的热管理.芯片最重要的封装需求是满足封装热沉上的热量能够容易地散热[1].微电子器件封装中都要使用多种不同材料,由于材料热膨胀系数的不同,在生产和使用过程中,各层材料及界面将产生不同的热应力.层间界面热应力

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