4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

发布时间：2017-12-01 23:17

  本文关键词：4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

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【摘要】：分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.
【作者单位】： 厦门大学物理系;
【基金】：国家自然科学基金(61176049)~~
【分类号】：TN23
【正文快照】： l引言作为第三代半导体材料,4H-SiC具有禁带宽度大(室温下约为3.26 eV)、本征载流子浓度低(室温下约为10-8 cm-3)、化学和热学稳定性高等优点。基于4H-SiC的光电探测器的紫外-可见光抑制比高、暗电流低,可工作于高温、高辐射等极端环境中,在紫外线检测、环境监测、导弹预警等

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本文编号：1242812