632nm激光对CCD和CMOS的干扰实验及机理分析

发布时间：2017-12-03 06:31

  本文关键词：632nm激光对CCD和CMOS的干扰实验及机理分析

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【摘要】：为了研究激光对图像传感器的干扰机理,利用632nm激光开展了对CCD和CMOS两种图像传感器的干扰实验,将实验采集的数字图像进行处理,提取了不同激光功率下,图像横纵向最大干扰宽度,并从CCD和CMOS内部结构上解释了产生干扰差异的原因。之后利用激光光强关系式推导出最大干扰宽度与激光辐照光功率之间的关系,并根据此关系拟合了CCD横向和CMOS横纵向最大干扰宽度曲线,拟合结果与实验数据吻合较好,说明了CCD横向和CMOS横纵向受干扰的主要原因是由光强本身引起的高斯光束整体抬升。对于CCD纵向串扰过程,通过实验可以得出CCD串扰过程分为两个阶段:开始阶段可能是由电子隧穿引起的,后期主要是载流子的饱和扩散。
【作者单位】： 北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院;
【基金】：北京市自然科学基金(4154071) 北京市优秀人才培养资助青年骨干个人项目(201400002012G105)
【分类号】：TP212;TN249
【正文快照】： 目前广泛应用的固体图像传感器主要有CCD(Charge Coupled Device)图像传感器和CMOS(Com-plementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器。CCD具有体积小、灵敏度高、动态范围大、抗畸变等优点,已经广泛应用于卫星侦察、遥感等军事和科学领域[1-6],CMOS具有功耗低、集成度高

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本文编号：1247792