大功率肖特基SiC二极管热特性研究

发布时间：2017-12-07 14:08

  本文关键词：大功率肖特基SiC二极管热特性研究

  更多相关文章： 温度特性 大功率 肖特基SiC二极管 热阻

【摘要】：基于小电流下肖特基结正向压降的温度特性,建立了温升测量系统。利用该系统对肖特基SiC二极管的瞬态温升进行了测量,结果显示瞬态温升曲线呈阶梯状变化。利用结构函数的方法对瞬态温升曲线进行处理,分析了肖特基SiC二极管在热流传输路径上的热阻构成。研究了三引脚封装的肖特基SiC二极管在相同大功率的条件下,两正极引脚单独使用和并联使用时的热阻特性,结果显示,在两正极引脚并联使用时,其热阻比单独作用时减少一半,这表明三引脚封装的肖特基SiC二极管的两个正极是并联的,并共用一个负极和散热片。
【作者单位】： 北京工业大学电子信息与控制工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61376077,61201046,61204081) 北京市自然科学基金资助项目(4132022,4122005) 广东省战略性新兴产业资助项目(2012A080304003)
【分类号】：TN31
【正文快照】： 1引言大功率肖特基SiC二极管由第三代半导体材料SiC制造,具有高频、低功耗、开关频率高等优点,在各种低压高频开关电源等领域得到广泛应用[1]。由于肖特基二极管工作在大电流条件下,发热显著,会影响其可靠性。随着大功率肖特基二极管应用的不断深入,与降低热阻、保持良好散热

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 王昌平;二次谐波法半导体杂质浓度分布图示仪[J];复旦学报(自然科学版);1976年02期

2 范永平;反应溅射法制备耐熔金属氮化物/GaAs肖特基结[J];微电子学;1988年03期

3 程兆年,袁云芳,王渭源;高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压[J];半导体学报;1982年06期

4 华庆恒,严如岳,李岩松,陈古川,张菀,刘咏梅,杨媛琪;直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究[J];固体电子学研究与进展;1990年01期

5 张遴绍,夏永姚;化学沉积法制备Pt/n-GaAs肖特基结[J];半导体技术;1992年01期

6 李英,王玉花,王燕,田立林;大束流离子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基结的电学特性[J];固体电子学研究与进展;2005年01期

7 黄建仁;王秩雄;陈绳乾;王挺;;肖特基二极管整流的计算与测量[J];强激光与粒子束;2007年11期

8 田敬民，，高勇;结势垒控制肖特基整流管的优化设计[J];微电子学;1994年04期

9 傅济时,吴恩,秦国刚,朱美栋,郁元桓;蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷[J];半导体学报;1993年11期

10 ;[J];;年期

中国硕士学位论文全文数据库 前1条

1 王雪;基于石墨烯/硅肖特基结的光电探测器的研制[D];浙江大学;2016年

本文编号：1262633