外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响
本文关键词:外加条件对量子点红外探测器暗电流特性的影响
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【摘要】:考虑微米尺度和纳米尺度下电子传输对激发能的共同影响,基于电子漂移速度对外加电场的依赖,研究外加电场和外加温度对量子点红外探测器暗电流特性的影响.结果表明:外加电场在0~25kV/cm范围内时,暗电流模型和实验数据变化相吻合.暗电流随着外加电场的增加而增加,并且当外加电场小于6kV/cm时暗电流增加迅速,而当外加电场大于6kV/cm时暗电流增加缓慢.暗电流随着外加温度的增加迅速增加.该研究为量子点红外探测器的优化设计和性能提高提供了理论参考.
【作者单位】: 武警工程大学理学院;西藏民族大学教育学院;
【基金】:国家自然科学基金(No.61307121) 武警工程大学基础研究基金(No.WJY201405);武警工程大学军事理论研究课题(Nos.JLX201518;JLX201519) 西藏民族大学青年学人培育计划项目(No.14myQP01)资助~~
【分类号】:TN215
【正文快照】: 0引言量子点红外探测器(Quantum Dot InfraredPhotodetector,QDIP)可以克服量子阱红外探测器红外响应区较窄,不能直接探测垂直入射红外辐射的缺点,此外,它还具有低暗电流、高光电导增益、高响应率、高灵敏度和高探测率等优点,目前已受到人们的广泛关注,成为国内外红外探测技术
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,本文编号:1270734
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